北京大学_微电子_半导体器件及应用_诚聘博士后

huaihuaxiang

一、研究方向: 宽禁带半导体(GaN SiC) Si功率半导体 功率电子技术，等方向
课题组介绍: 课题组主要研究半导体（GaN、SiC、Si）功率器件及功率电子技术。包括器件工艺与制备，器件物理与可靠性分析，功率器件驱动技术与应用等。课题组负责人在ieee edl，ieee t-ed，iedm， ieee t-pe， ispsd等本领域的权威期刊与会议上发表论文100余篇。课题组善于挖掘与激发组员的科研潜能，将为组员提供高质量的科研指导。
主页: http://scholar.pku.edu.cn/jinwei


二、申请条件:
(1) 35岁以下。
(2) 即将于一年内博士毕业，或在国内外知名高校电子，材料，物理等相关学科获得博士学位不超过三年。
(3) 在所在领域主流sci期刊或顶级会议以第一作者身份发表过论文2篇以上，论文能体现自己的特长和能力


三、待遇:
1) 基本待遇（包括五险一金、博士后住房补贴、博士后公寓等）按北京大学博士后流动站相关规定执行；根据北京市博士后管理政策办理有关落户事宜。
2) 如申请到“博雅博士后”，待遇从优。如申请到“博新计划博士后”，进站后享受国家给予两年60万元资助。
3) 课题组另将提供相应的绩效工资。
博雅博士后（申请截止日期3月25号。博士毕业日期晚于这个日期，也可以先联系课题组在此日期前申请，等毕业再办理入职）: https://postdocs.pku.edu.cn/tzgg/125151.htm


四、应聘方式: 请尽快将个人简历以及代表性论文全文(2篇)发送至课题组邮箱：jin.wei@pku.edu.cn