西安交通大学材料学院闵泰教授

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姓      名：        闵泰
职      称：        教授
所在院系：        材料学院自旋电子材料与量子器件研究中心
联系电话：        82665183
个人主页：        #
E-MAIL：        tai.min@mail.xjtu.edu.cn
专业方向：        自旋电子学；新型存储器；磁性纳米生化检测；
个人详情


教育经历
1981-1985：中国科技大学           物理系    学士学位
1985-1993：美国明尼苏达大学    机电系    博士学位
研究方向
1)  低维介观量子体系材料、器件的电磁声光元激发和量子输运理论；
2)  低维介观量子体系材料、器件的仿真和模拟（ab-initio，micro-magnetic，compact）；
3)  新材料（石墨烯，拓扑绝缘体、MX2，磁性超薄膜等）的埃米生长技术（磁控溅射，ALD,CVD）和物理表征（<1K低温>60特斯拉高磁场，飞秒激光激发，STM，MFM，FMR）；
4)  5纳米以下量子器件工艺研发；
5)  量子计算、类脑计算与存储系统设计、优化和应用技术的研究和开发；
6)  磁性生化医疗microfluidic测试系统的研究和开发。


工作经历
2015.03-今：         西安交通大学##学者，特聘教授。
2013.01-2014.12：欧洲微电子研究中心 IMEC，STT-MARAM/自旋电子学项目总监
2002.02-2012.12：美国TDK集团 Headway Technologies
                               高级主管/总监/首席技术专家/设计与测试
2000.09-2002.02：美国美商威世通股份有限公司 WaveSplitter Technologies Inc.
                               团队领导/高级工程师
1998.04-2000.09：美国TDK集团 Headway Technologies
                               产品设计总监/首席技术专家
1996.10-1998.04：美国ReadRite Co.
                               经理/器件设计和建模
1993.08-1996.10：美国Quantum Recording Head Group
                               首席工程师/高级硬件工程师


专利成果
拥有60多项美国颁发的专利，其中以第一发明人获得专利40多项。
发表文章
累计发表文章30多篇，包括IEDM, SPIE, IEEE Tran., JAP, Phys. Rev. B等。

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TMD材料纵向异质结

二维过渡金属硫族化合物（TMD）是一类非常有潜力应用于后摩尔时代电子器件的二维材料。相对于石墨烯、黑磷等其他二维材料，TMD类材料具有一个重要优势，即每个具体TMD都有独特的带隙结构。因此，很容易挑选出具有合适带隙结构的两种TMD，通过堆垛或对接形成特定能带类型的异质结，例如把单层MoS2和WSe2堆垛在一起就可以形成具有交错型（staggered）能带的纵向异质结。然而，目前人们对这类TMD纵向异质结在纳米级的局域电子结构的研究仍然比较欠缺。为了加深对这类材料的认识，西安交通大学材料学院闵泰##教授团队的潘毅教授与美国和德国的科学家合作，对MoS2-WSe2展开了深入的研究。

他们利用扫描隧道显微镜（STM）在5K和80K的温度下测量了利用金属有机化学气相沉积方法（MOCVD）制备的MoS2-WSe2样品。该研究发现在5K时材料表面周期性起伏的Moiré图案对材料的能带结构有明显的调制作用，在每一个Moiré图案原胞内的相互作用较强区域，价带顶（VBM）和导带底（CBM）能量附近都产生了新的分立能级，即Moiré图案引起的局域电子态。在80K时，此局域电子结构仍然稳定存在。由于Moiré图案的典型尺寸在8纳米左右，与半导体器件的工艺线宽相仿。这项工作指出当基于TMD纵向异质结的器件的尺寸下降纳米级时，必须考虑这类局域电子态对器件性能的影响。此外，这类局域电子态的周期性阵列可以被看作准量子点阵列，未来可能应用于单光子光源等量子器件。

近日该项工作以“Quantum-Confined Electronic States Arising from the Moiré Pattern of MoS2-WSe2 Heterobilayers”为题，发表于 Nano Letters. (2018, 18, 1849–1855)。此项工作是由西安交通大学材料学院自旋电子材料与量子器件中心的潘毅教授与德国Paul Drude 研究所的Stefan Foelsch 博士及美国卡耐基梅隆大学的Randall Feenstra教授合作完成的，参与该工作的还有美国宾州州立大学的Joshua Robinson教授研究小组和美国德州大学达拉斯分校的Kyeongjae Cho教授研究小组。

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国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项拟立项的2018年度项目公示

2018YFB0407600    高密度磁存储材料及集成技术研究    西安交通大学    闵泰    1319万     4年

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11月21日，由西安交通大学牵头的国家重点研发计划“战略性先进电子材料”专项“高密度磁存储材料及集成技术研究”项目启动会暨项目实施论证会在西安隆重召开。科技部高技术研究发展中心材料处处长史冬梅、西安交大党委常务副书记王小力，陕西省科技厅副厅长、科技工委委员史高领、北京大学黄如院士、复旦大学龚新高院士、武汉大学徐红星院士、西安交大电信学院书记梁莉、材料学院院长单智伟及相关教授专家、参研单位和项目负责人等共计80余人出席本次启动会。西安交大科研院常务副院长黄忠德主持会议。

“高密度磁存储材料及集成技术研究”项目由西安交通大学牵头，参与单位有北京航空航天大学、福建省电子信息（集团）有限责任公司、北京兆易创新科技股份有限公司、中电海康集团有限公司等，旨在通过高密度磁随机存储器技术的探索和突破，完成磁随机存储器芯片国产化的技术储备，提升我国新一代非易失性存储器的国际竞争力，为解决我国半导体领域缺乏原创技术的芯痛问题提供助力，推动我国半导体芯片技术的高速发展。

王小力常务副书记首先代表学校对各位领导、院士、专家学者的到来致以最热烈的欢迎。他指出，西安交通大学始终坚持习近平总书记提出的“三个面向”的工作思路，深化科研管理体制改革，促进产学研链条的贯通，传承和弘扬西迁精神，勇担国家重任，紧抓“一带一路”发展战略，扎实推进创新港内涵建设，进一步解决国家发展难题。他强调，“高密度磁存储材料及集成技术研究”项目是解决国家前沿卡脖子问题、发展半导体领域的强力支撑，希望大家发挥爱国奉献精神，把项目完成好，为国家创新驱动发展贡献智慧和力量。

史高领副厅长具体介绍了陕西省科技发展布局，尤其是加强四链互动，制定重大科技专项管理办法，支持建立军民融合创新产业园和军民融合协同创新平台。他指出，陕西省科技厅将全方位支持西安交大在国家重点研发计划项目方面的工作，希望项目承担单位根据项目的课题任务书详细分工部署，履行各自责任，为项目实施提供全方位保障。

单智伟院长从“情怀”二字，概括了闵泰教授的国家重点专项项目立项依据。他表示在中美贸易战中，需要有自主创新能力的国内研发团队，解决科技难题。本次课题设立初衷和在实施过程中将会产生巨大的影响，通过项目开展将培养一大批接触最前沿领域的人才，是高等教育本质出发点，也是最终归宿。单院长表示，闵泰教授在国外企业有数十年的研发经历，他选择了回国，选择来到西安交大，选择国家科技前沿的重大需求，是家国情怀的真实写照。

史冬梅处长希望通过本次启动会，将项目任务具体形成实施方案，通过探讨论证形成项目实施的科学依据和重要抓手，达到事半功倍的效果。她指出，高密度存储材料及集成技术研究是面向国际科学前沿的重大项目，希望项目各实施单位凝聚力量、各司其职，保证项目顺利完成。

期间，项目负责人闵泰教授为各位专家颁发聘书，聘请黄如院士、龚新高院士、徐红星院士等为项目专家。闵泰教授从研发队伍、技术路径、研究进度等方面汇报了项目的总体情况以及实施方案。各位与会专家就该项目实施展开深入交流谈论，提供了宝贵的意见建议。最后，科技部高技术中心专项主管杨斌具体介绍了项目实施细则、项目管理条例和注意事项等内容。