王宏兴教授团队实现2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底量产

查看数: 118 | 评论数: 0 | 收藏 0

关灯 | 提示：支持键盘翻页<-左右->

发布时间: 2024-1-17 08:49

金刚石半导体具有超宽禁带（5.45eV）、高击穿场强（10MV/cm）、高载流子饱和漂移速度、高热导率（22 W/cmK）等材料特性，以及优异的器件品质因子（Johnson、Keyes、Baliga），采用金刚石衬底可研制高温、高频、大功 ...

GMT+8, 2024-5-17 20:06 , Processed in 0.078975 second(s), 36 queries .

		自动登录	找回密码
密码			立即注册

回复