北京科技大学材料学院材料物理与化学系张跃

xichuang

北京科技大学张跃教授团队报告了一种新的策略—通过一维半导体诱导纳米压印构建具有周期性应变的的混合维范德华异质结阵列。使用单层MoS2（1L-MoS2）/ZnO异质结构阵列作为模型系统，在异质界面上展示了不均匀的内置应变梯度，拉伸范围为0至0.6％。通过对混合结构的系统光学表征，作者验证了应变可以提高界面电荷转移效率。因此观察到1L-MoS2在应变界面处的光致发光（PL）发射相对于未应变界面处的显着淬灭超过50％。此外，作者还确认应变优化的界面载流子行为归因于界面势垒高度的降低，其起源于应变可调的1L-MoS2的费米能级。这些结果表明，应变工程为调控范德华异质结界面输运提供了一个新的自由度。同时，该方法为实现基于应变调控的更复杂的范德华集成提供了新的思路。该成果近日以题为“Strain-Engineered van der Waals Interfaces of Mixed-Dimensional Heterostructure Arrays”发表在知名期刊ACS Nano上，并被选为当期的Supplementary Cover。