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哈尔滨工业大学材料学院电信息科学与工程（0805Z2）研究生考试 829半导体物理Ⅱ-考研资料以及考研大纲
829半导体物理Ⅱ参考书：1. 刘恩科，朱秉升，罗晋升编著. 半导体物理学. 电子工业出版社, 2011.03；2. [美]施敏 （S.M.Sze），半导体器件物理，电子工业出版社，1987.12. 829半导体物理Ⅱ考研大纲：
《半导体物理》考试大纲
考试科目名称：半导体物理Ⅱ 考试科目代码：[829] 一、 考试要求： 要求考生系统地掌握半导体物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半导体的物理性能。要求考生对半导体的晶体结构和能带论、载流子统计分布、载流子输运过程、p-n结理论、金属-半导体接触理论、半导体光电效应等基本原理有很好的掌握，并能熟练运用分析半导体的光电特性。 二、考试内容： 1） 半导体晶体结构和能带论 a: 半导体晶格结构及电子状态和能带 b: 半导体中电子的运动 c: 本征半导体的导电机构 d: 硅和锗及常用化合物半导体的能带结构 2) 杂质半导体理论 a: 硅和锗晶体中的杂质能级 b: 常用化合物半导体中的杂质能级 c: 缺陷、位错能级 3) 载流子的统计分布 a: 状态密度与载流子的统计分布 b: 本征与杂质半导体的载流子浓度 c: 一般情况下载流子统计分布 d: 简并半导体 4) 半导体的导电性 a: 载流子的漂移运动与散射机构 b: 迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系 c: 多能谷散射、耿氏效应 5) 非平衡载流子 a: 非平衡载流子的注入、复合与寿命 b: 准费米能级 c: 复合理论、陷阱效应 d: 载流子的扩散、电流密度方程 e: 连续性方程 6) p-n结理论 a: p-n结及其能带图 b: p-n结电流电压特性 c: p-n结电容、p-n结隧道效应 7) 金属-半导体接触理论 a: 金-半接触、能带及整流理论 b: 欧姆接触 8) 半导体光电效应 a: 半导体的光学性质（光吸收和光发射） b: 半导体的光电导效应 c: 半导体的光生伏特效应 d: 半导体发光二极管、光电二极管 三、 试卷结构： a) 考试时间：180分钟，满分：150分 b) 题型结构 a:概念及简答题（60分） b:论述题（90分） c）内容结构 a: 半导体晶体结构和能带论及杂质半导体理论（30分） b: 载流子的统计分布 （20分） c: 半导体的导电性 （20分） d: 非平衡载流子（20分） e: p-n结理论和金属-半导体接触理论 (30分) f: 半导体光电效应 (30分) 四、参考书目 1. 刘恩科，朱秉升，罗晋升编著. 半导体物理学. 电子工业出版社, 2011.03. 2. [美]施敏 （S.M.Sze），半导体器件物理，电子工业出版社，1987.12.
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发表于 2017-3-3 15:20:34
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