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高迁移率二维半导体因其独特的晶体结构和电学性质,可望突破主流硅基CMOS(互补金属氧化物半导体)芯片技术在进一步微缩时面临的短沟道效应等物理限制,被认为是后摩尔时代替代硅的候选芯片材料之一。然而,制备决定 ...
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