找回密码
 立即注册

QQ登录

只需一步,快速开始

彭海琳课题组在高迁移率二维半导体Bi2O2Se精准合成方面取得系列进展

查看数: 399 | 评论数: 0 | 收藏 0
关灯 | 提示:支持键盘翻页<-左 右->
    组图打开中,请稍候......
发布时间: 2022-8-25 17:08

正文摘要:

高迁移率二维半导体因其独特的晶体结构和电学性质,可望突破主流硅基CMOS(互补金属氧化物半导体)芯片技术在进一步微缩时面临的短沟道效应等物理限制,被认为是后摩尔时代替代硅的候选芯片材料之一。然而,制备决定 ...

回复

小黑屋|手机版|Archiver|版权声明|一起进步网 ( 京ICP备14007691号-1

GMT+8, 2024-6-17 13:46 , Processed in 0.122000 second(s), 39 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表