彭海琳课题组在高迁移率二维半导体Bi2O2Se精准合成方面取得系列进展

查看数: 404 | 评论数: 0 | 收藏 0

关灯 | 提示：支持键盘翻页<-左右->

发布时间: 2022-8-25 17:08

高迁移率二维半导体因其独特的晶体结构和电学性质，可望突破主流硅基CMOS（互补金属氧化物半导体）芯片技术在进一步微缩时面临的短沟道效应等物理限制，被认为是后摩尔时代替代硅的候选芯片材料之一。然而，制备决定 ...

GMT+8, 2024-6-26 16:14 , Processed in 0.078039 second(s), 37 queries .

		自动登录	找回密码
密码			立即注册

回复