图1. 二维层状铁电材料Bi2TeO5的CVD生长及结构表征。(a)二维层状Bi2TeO5的光镜图;(b-c)样品的表面形貌及对应的面内PFM图像;(d-f) 不同方向Bi2TeO5的结构模型以及铁电极化的产生;(g-I) Bi2TeO5的原子尺度结构表征及对应的极化分布
本研究工作对Bi2TeO5室温面内铁电性的报道丰富了本征二维铁电材料体系,同时原子插层作为新的调控单元对铁电畴大小及方向的调控,以及由此产生的铁电-反铁电相变,为二维铁电材料畴结构及相结构的调控提供了新的思路,并为其在未来纳米器件领域的应用提供了新的材料基础。相关工作以Continuously tunable ferroelectric domain width down to the single-atomic limit in bismuth tellurite为题发表于Nature Communications,松山湖材料实验室副研究员韩梦娇与中国人民大学王聪博士后为论文共同第一作者。中科院苏州纳米所康黎星研究员,南方科技大学林君浩副教授,中国人民大学季威教授为共同通讯作者。该研究获得了国家重点研发计划、国家自然科学基金等项目的支持。
文章链接:https://www.nature.com/articles/s41467-022-33617-x
文章来源:苏州纳米所